Memory Repair 概述

什么是Memory Repair

在ATE测试过程中，若发现内存存在故障，可通过替换故障行或列的方式实现内存修复。

Memory Repair 分类

按照故障替换的方式可以将Memory Repair 修复类型分为下面三种：

1. 列修复 （column repair）
   修复操作涵盖单列或列块的替换，直至扩展到列多路复用器的整个宽度。这种全宽度修复通常被称为IO修复。
2. 行修复 （row repair）
   行修复包括替换块、行，甚至行的子集，小到一个字。
3. 两者的组合 （a combination of both）

Memory 的修复特性通常是由内存供应商提供库文件来描述（EX：*_logicv.lib）。

Memory repair 的步骤

通常来说可以将mem 的Memory Repair 修复步骤分为下面三步：

1. 分析故障
2. 确定存储器的故障是否可修复
3. 给存储器的故障修复端口赋值（替换故障点）。

Memory Repair设计的难点

1. 故障数据收集 （the failure data collection）
2. 冗余分析 （redundancy analysis）
3. 存储器修复访问 （memory repair access）

参考文献：
4. Tessen MemoryBIST User’s Manual For Use With Tessent Shell （2023.1 version）

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